справочник заменитель полевих транзисторов n25



Проблема такова, что при разборке и замене аккумуляторов в бритве Braun повредил SMD транзистор. Помогите распознать транзистор в корпусе SOT-23 и маркировкой NO19l. Пульт сигнализации Code Alarm Усилительный транзистор в корпусе SOT 23 с маркировкой 7A F стал давать утечку тока по КЭ переходу. полевой транзистор irf4568 на 150В 171А. помогите определить тип smd транзистора --YAIB. высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В. Подскажите, пожалуйста, что это за транзистор? Ни в одном списке не нашел. подскажите пожалуйста параметры транзистора похож корпус sot-23. виталий13, A18T я вижу без подробностей, но если они появились, то рисовать по любому придётся — надо выяснить причину, вызвавшию пробой транзистора. мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А. MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А. com/ru/smd/2a, транзистор коммутирует питание тюнера +9в, что скорей всего из этого? По идее мосфет?.. BВторой, два N-канальных транзистора. мощный полевой транзистор 500В 20А. мощный полевой транзистор 200В 30А. Импортные биполярные и полевые транзисторы. помогите опознать smd транзистор. мощный полевой транзистор 60В 20А. в этом месте с 2 транзисторами было налито что-то коктейльно -алкогольное, после отмывания проработало несколько часов. Уважаемые!!! Помогите найти аналог SMD транзистора. помогите опознать smd транзистор с маркировкой AA40BC корпус TO-225. Подскажите какие это транзисторы и возможно ли замена их. мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В. транзистора нужно быть готовым к тому, что потери проводимости будут. Стоят транзисторы q921 и q922, маркировка R:g33. Если сожете подскажите чем можно заменить. напряжению и току + тип корпуса Внимание! Для транзисторов с несколькими модификациями. Помогите определить транзистор. Первый вариант, один N-канальный транзистор. мощный полевой транзистор IRFP4004 до. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат" class=«internal» href="/wiki//images/5/50/IPak. импортный полевой транзистор BSP295, характеристики. импортный полевой транзистор на 400В 18А. Он даже маркировки установленного транзистора не написал. mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А. мощный полевой транзистор 200В 50А. Помогите, пожалуйста, определить транзистор sot23 A49T. помогите определить SMD-транзистор. Мощный полевой транзистор КП704, характеристики. Помогите опознать транзистор маркировка d2su или d2s0 не видно. Сказали, дальше проверять, пока не заменить, нет смысла. Схема полевого транзистора КП733, характеристики, параметры. Параметры импортных биполярных и полевых транзисторов. мощный полевой транзистор 150В 171А. Возможно это вч полевик, а может и нет. изучаю схему китайского полетного контроллера одной летающей игрушки и. Полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода КП601. помогите опознать smd транзистор с маркировкой DA. CТретий, N-канальный плюс P-канальный транзисторы в одном флаконе. Справочник по полевым транзисторам — сортировкой по напряжению. Полевой транзистор КП402, параметры, аналоги. импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А. Какой транзистор мне не известно. Помогите пожалуйста с заменой транзистора SSM3J328R, не могу его найти. Где может использоваться полевый транзистор. подскажите есть smd транзистор sot 232 с маркировкой 2z и еще один DIP транзистор R4388 никак не могу найти расшифровку, стоят в блоке розжига ксенона в авто. Значит нужен другой транзистор — подскажите какой?.. smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0. Полевой транзистор КП801 для усилителей звуковой частоты с затвором на. полевой транзистор (IRF) 650В 25А. мощный полевой транзистор на 500В 32А. content=«электронные компоненты, справочник импортных биполярных и полевых транзисторов,. подскажите, что за транзистор?.. В общем различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Как может выглядеть полевый транзистор. Справочник по SMD-компонентам тебе в руки. Раздел: высоковольтные полевые транзисторы. Помогите, пожалуйста, определить транзистор. II3II писал:2SK520Спасибо, что откликнулись на мою просьбу, но у меня еще закралось сомнение транзистор ли это. Что делать? Чем можно заменить?.. мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А.
биполярный транзистор 100В 30мА. Частный случай корпуса SO-8 с одним N-канальным транзистором, где ножки с 5»ой по 8«ю заменены на теплоотводный фланец. мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А. Спасибо за характеристику я уже два дня сижу в справочниках не могу найти аналог. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Кодовая маркировка SMD транзисторов. По моему транзистору BQ больше никаких мыслей нет?.. timoshka писал: не ужели ни укого нет ответа!!! транзистор SOT 23---NIU1 или замена или что он из себя представляет PLIS!!!!!!!!!!.. полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе. импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А. Где прочитать правила я не нашел но за-то нашел транзистор с маркировкой 2. Полевой транзистор КП302, параметры, характеристики. Чего ещё хотите? Могу ещё диоды дать с такой маркировкой, но в сообщении упоминался только транзистор. Чем заменить из ассортимента Chip-Dip Москва?.. Помогите Люди добрые с маркировкой китайского транзистора!.. Скорее всего транзисторная сборка. Выгорили два транзистора в корпусе SOT23. Судя по позиционному номеру Q8, это транзистор. Шит говорит что данный транзистор только в корпусе SOT23. mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В. Помогите определить что за транзистор. Транзистор наверное этот-2SA1900. Схема мощного полевого транзистора КП768, аналоги, параметры. Кстати, нашел картинку, транзистор там PNP. А что сказать? Полевик спутать с диодами- это сложно. Справочник импортных биполярных и полевых транзисторов. мощный полевой транзистор 200В 130А. Буковка N означает, что это N-канальный транзистор. Транзистор в корпусе sot-23, WP7Y, похоже на полевик. МДП транзистор КП805, параметры, характеристики. Помогите распознать транзистор. Rds(on) — от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. Схема мощного полевого транзистора КП767, аналоги, характеристики. 8A или D1664 вместе стаблитрона zd1- 18v но транзистор не одного нет чем заменить прощу помощи???? фото не удалось положить. Полевые транзисторы на напряжение до 400В:. Доброго времени суток! Люди добрые, ПОМОГИТЕ, надежды уж нет никакой( Никак не могу найти по маркировке транзистор. LFPAK естественно без проблем меняется на SO-8 с одним N-канальным транзистором, и наоборот. mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А. Схема полевого транзистора КП770, характеристики. полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А. Моя проблема, как и у всех, помогите определить транзисторы. Что за зверь и чем его можно заменить?.. В корпусе SOT23 этот транзистор тоже выпускается. Получается 2209 — это NXP транзистор. Возможно Р-канальный полевичок. мощный полевой транзистор 40В 20А. Ответить какой транзистор никто не может, поиск только по коду не даёт результата, а больше информации Вы не предоставляете. Транзистор в корпусе sot-89 стоит в автомагнитоле мистери MMD-3505, позиция Q316. Что за smd транзистор с маркировкой BR и скраю цифры 28? Вроде npn 2SC2412K. Цитата: Справочник по SMD-компонентам тебе в руки. По поиску выдает или npn транзистор или сборку, хотя должны стоять полевики. импортный полевой транзистор IRF540, характеристики. не ужели ни укого нет ответа!!! транзистор SOT 23---NIU1 или замена или что он из себя представляет PLIS!!!!!!!!!!.. Я правильно понял — это не транзистор, а диодная сборка? FMMD2835?.. А вот транзистор (лупой 10х с трудом прочитал маркировку L 2649) не могу, помогите пожалуйста, кто знает. Здравствуйте, помогите определить марку транзистора. MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Схема мощного полевого транзистора КП769, аналоги, параметры. мощный полевой транзистор 100В 40А. есть еще 2 транзистора один на фото а второй с маркировкой mip0244sd, помогите пожалуйста подобрать аналоги. мощный полевой транзистор 700В 12А. Тишка, Ето не транзистор а стабилизатор на 5в КРЕН5 Слышал??.. MOSFET транзистор irf3808 на 60В и с на практике недостижимым током 140А. Подскажите маркировку транзистора SMD A22T sot23. pabel писал:AnGen, От микросхемы на базу транзистора, через резистор напряжение управления подается?.. Характеристики МДП транзистора КП705. Второй, два N-канальных транзистора. Помогите распознать элемент — транзистор. Кто в курсе кодовой маркировки SMD транзисторов, где можно найти таблицы? У меня транзюк в корпусе SOT-89 вроде. Возможно транзистор, при работе схемы на выводах нпряжение по нулям ( думаю через окислы или лак ничего не снимается). Полевой транзистор КП802 с затвором на основе p-n перехода.

отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310.

справочник полевых транзисторов транзисторов



Номенклатура приборов IR и ряда других компаний насчитывает сотни наименований (типов) транзисторов у каждой фирмы. 2 Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду. Основой структуры прибора является транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), у которого между тонким слоем AlGaN и слоем GaN формируется область двумерного электронного газа. Общедоступными стали многие типы зарубежных мощных полевых транзисторов. Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах. Основной путь развития мощных полевых транзисторов связан с применением новых полупроводниковых материалов с более широкой, чем у кремния, шириной запрещенной зоны и большей подвижностью носителей тока. мощный полевой транзистор 800В 10А. Сопротивление сток–исток полевых транзисторов, построенных на разных полупроводниковых материалах. Существующие справочники обладали многими недостатками,. При участии завода «Ангстрем» оно создало обширный ряд мощных полевых транзисторов с высокими техническими характеристиками (выборочные примеры в таблице 5). высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики. Журналисты часто преувеличивают перспективы развития транзисторов, ссылаясь на последние успехи нанотехнологий. Это открыло область разработки мощных ключевых (импульсных) полевых транзисторов со специальными структурами, имеющих высокие рабочие напряжения и токи (раздельно до 500—1000 В и 50-100 А). Мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные МДП-транзисторы // Электронная промышленность. приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно. К мощным полевым СВЧ-транзисторам с V-образной структурой относились серии советских приборов КП905/907/908/909/913 и др. американская фирма International Rectifier (IR) разработала ставшую затем самой массовой технологию производства МОП-транзисторов с гексагональной (шестиугольной) формой ячейки — HEXFET (рис. Транзисторы на напряжение до 40В:. Параметры некоторых отечественных мощных полевых транзисторов с малым сопротивлением канала. Например, крупное объединение «Интеграл» с мощным заводом «Транзистор» (Минск) освоило выпуск широкой (сотни типов) номенклатуры приборов — аналогов транзисторов фирмы IR (табл. полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и гипотетические токи до 80А. Мощные переключающие МДП-транзисторы и их применение. Техдокументация «Транзисторы полевые (MOSFET)» 1002. Импортные mosfet транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до. Классификация мощных полевых транзисторов. Справочник описывает отечественные полевые. Биполярные транзисторы извечно страдали неравномерностью нагрева транзисторной структуры, нередко приводящей к тепловому пробою и выгоранию структуры. В МДП-транзисторе до возникновения канала почти всё напряжение источника питания в цепи стока падало на полупроводнике между истоком и стоком, создавая относительно большую постоянную составляющую напряжённости электрического поля. полевой транзистор кп302 на 40В 0. com, несомненно, полезен радиолюбителям и профессионалам в сфере электроники, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Автомобильная электроника также стала потребителем массы мощных полевых транзисторов, в том числе работающих в особо тяжелых условиях. Кремниевый мощный высокочастотный МДП-транзистор КП909 // Электронная промышленность. мощный полевой транзистор 700В 12А. Мощный кремниевый сверхвысокочастотный МДП-транзистор КП908 // Электронная промышленность. Виды полевых транзисторов и их обозначение на принципиальных схемах.

высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики. Процессы рекомбинации носителей в p-n-переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводника сопровождаются возникновением низкочастотных шумов. Существенный вклад в создание мощных МДП-транзисторов с малым сопротивлением канала при включении внесли зарубежные фирмы Siemens, International Rectifier (IR) и др. Приборы имели значительные внешние емкости структуры, а нормально закрытый биполярный транзистор может включаться как при лавинном пробое его, так и при быстром выключении полевого транзистора. мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в. Поиск параметров транзистора по его маркировке. Зулиг и Тешнер в своих статьях высказали идею о возможности повышения мощности полевых транзисторов путем увеличения числа каналов. Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом. К основным параметрам полевых транзисторов причисляют: входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и некоторые другие. Мощные полевые транзисторы и их применение / Пер. представлены основные электрические параметры полевых транзисторов. высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В. транзистор IRF1104 на 40В 100А. В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе (см. Структура мощного МДП-транзистора, изготовленного методом двойной диффузии. При некотором запирающем напряжении площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток в канале транзистора станет весьма малым. Поэтому по типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0. мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А. Было создано несколько поколений таких транзисторов. 1 МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Заметно упала потребность в мощных полевых ВЧ- и СВЧ-транзисторах для военных радиопередающих и иных устройств. Применяя метод двойной диффузии, удалось создать мощные МДП-транзисторы с коротким каналом и слоями металлизации по обе стороны полупроводниковой пластины (рис. импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А. Сравнение удельного сопротивления включенных транзисторов, созданных на разных полупроводниковых материалах. MOSFET транзистор irf3808 на 60В и с на практике недостижимым током 140А. импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А. полевой транзистор кп601 на 40В 0. В данной схеме в качестве нелинейного элемента используется МДП транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом. вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания,. 6, позволяет получать высоковольтные транзисторы с довольно малым Rси. Так как исходным полупроводником для полевых транзисторов обычно является кремний, то в качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния SiO2, выращенный на поверхности кристалла кремния путём высокотемпературного окисления. Теория и применение полевых транзисторов. Мощные полевые транзисторы с V-МОП-структурой — перспективные конкуренты мощных биполярных приборов // Электроника. Мощные полевые транзисторы // Обзоры по электронной технике. Между тем в среде разработчиков приборов витала идея перехода от полевых транзисторов с горизонтальным каналом к транзисторам с вертикальным каналом. В 1977 году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем. мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А). У них отсутствует явление накопления носителей в структуре и явление насыщения, присущее биполярным транзисторам.

Исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. Раздел: высоковольтные полевые транзисторы. mosfet транзистор IRF640 (200В 18А). Стоит отметить, что указанные исследования проводились задолго до появления серийных мощных силовых полевых транзисторов и были экспериментально подтверждены многими уникальными разработками в области схемотехники этих приборов. Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. 3, b) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Уровень взаимных помех и наводок от них был столь высок, что радиостанции на биполярных транзисторах в условиях их скученности на местности и поле боя оказались почти неработоспособными. Опытные образцы высоковольтных транзисторов уже появились (рис. импортный полевой транзистор IRF520, характеристики. Новые транзисторы предназначены для таких приложений с повышенной надежностью работы, как промышленные импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, привод с батарейным питанием для профессионального электроинструмента, вилочных подъемников, электрокаров. отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310. Полевые транзисторы с их малыми интермодуляционными искажениями обещали устранение этого недостатка. мощный полевой транзистор 800В 15А. Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам,. Наносекундные сильноточные и высокочастотные ключи на мощных МДП-транзисторах // ПТЭ. в) От 10% до 30% объема справочников занимали. Параметры некоторых мощных полевых транзисторов завода «Транзистор» — аналогов приборов фирмы IR. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах: Справочник / Дьяконов В. мощный полевой транзистор на 500В 46А. Интересен прогноз IR по снижению сопротивления Rсивкл мощных полевых транзисторов на основе Si и GaN (рис. высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики. Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного напряжения, в следствии чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. Иллюстрация из патента (британский патент № 4394557) на полевой транзистор. mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А. Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML. 5), пришедшие на смену КП901, КП902 и КП904 (КП903 был мощным транзистором с управляющим p-n-переходом). Мощные МДП-транзисторы фирмы IR с максимальным током стока. Дырки, двигаясь по направлению постоянной составляющей электрического поля, разгоняются этим полем и их энергия увеличивается за счёт энергии источника питания, в цепи стока. Разработки силовых МДП-транзисторов в СССР. Мощные МДП-транзисторы были предложены нами как перспективный тип силовых полупроводниковых приборов, хотя их разработки шли вразрез с линией тогдашнего ВПК на развитие приборов для радиопередатчиков. Менее мощные транзисторы КП902 легко обеспечивали уникально малые времена переключения около 1 нс. полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А. Эффективность восьмивыводного корпуса SO-8 заметно ниже, но он допускает размещение до двух мощных транзисторов и диодов (рис. Большое внимание компания International Rectifier и другие разработчики MOSFET уделяют совершенствованию технологий размещения кристаллов транзисторов в новых корпусах, поскольку только оптимальное сочетание кристалла транзистора и корпуса обеспечивает создание по-настоящему эффективного устройства. Но более гибкая экономика позволила быстро перебросить ресурсы научных и производственных предприятий на разработку мощных ключевых и силовых полевых транзисторов, потребность в которых быстро росла. Тем временем возник новый геополитический фактор, резко снизивший объем разработок мощных полевых транзисторов на всем пространстве Советского Союза — распад CCCР в 1990 г. Новая серия отечественных DMOSFET-транзисторов // Силовая электроника. В дальнейшем были разработаны структуры запоминающих полевых транзисторов с двойным затвором. А как обстоят ныне дела с разработкой и выпуском мощных полевых транзисторов в новой России? Как у нас говорят, «нет худа без добра».
Полевой транзистор — Википедия.

справочник зарубжных полевых транзисторов



На ПАРАТРАНЕ удобно искать интересующие Вас данные о параметрах транзистора по его алфавитно-цифровой маркировке. Появились мощные МДП-транзисторы с малым сопротивлением канала включенного прибора (табл. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Мощные МДП-транзисторы фирмы IR с максимальным током стока. Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Содержание справочника транзисторов. Интересен прогноз IR по снижению сопротивления Rсивкл мощных полевых транзисторов на основе Si и GaN (рис. Между тем в СССР уже к концу 70-х годов наметилась тенденция к отставанию в области мощных ключевых полевых транзисторов. Сопротивление сток–исток полевых транзисторов, построенных на разных полупроводниковых материалах. Эта серия транзисторов имеет диапазон максимальных напряжений стока 24–100 В. С этого времени можно отсчитывать сегодняшний этап развития мощных полевых транзисторов. Иногда составителю встречались некоторые расхождения между характеристиками электронных полупроводниковых приборов, описанных в справочниках, изданных в Европе и в технической документации фирм-производителей. Есть раздел подбора транзистора по его параметрам и поиск по маркировке полупроводникового прибора. Стоит отметить также ряд пластмассовых корпусов, позволивших создать дешевые транзисторы и модули. Структура полевого транзистора LDMOS на основе SiC. Для силовых устройств важно иметь малое остаточное напряжение не только при очень малых, но и при больших токах стока включенного транзистора.
И тут оказывается, что по ключевым свойствам первые маломощные (и даже первые мощные) полевые транзисторы заметно уступали биполярным транзисторам. Стоит отметить, что указанные исследования проводились задолго до появления серийных мощных силовых полевых транзисторов и были экспериментально подтверждены многими уникальными разработками в области схемотехники этих приборов. В настоящем справочнике приведены перечни различных классов отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов с указанием фирм-изготовителей, а так же зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. МДП-транзистор с «вертикальной» V-образной структурой. Эти показатели являются рекордными по сей день и перекрыты лишь мощными арсенид-галлиевыми полевыми транзисторами. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. В указателе типов транзисторов, который выполнен в цифро-алфавитной последовательности, указывается местонахождение только тех приборов, которые вошли в данный том. Приведены справочные данные на 200 биполярных н 21 полевых типов транзисторов.
Номенклатура приборов IR и ряда других компаний насчитывает сотни наименований (типов) транзисторов у каждой фирмы. Структура мощного МДП-транзистора, изготовленного методом двойной диффузии. Значительные успехи в последние годы получены на пути внедрения высокотемпературных полевых транзисторов на карбиде кремния (SiC). Справочное пособие рассчитано на широкий круг читателей, специалистов, студентов и ра­диолюбителей, занимающихся конструированием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры. Словом, нужны приборы с очень малым сопротивлением Rси между стоком и истоком включенного сильноточного транзистора. Менее мощные транзисторы КП902 легко обеспечивали уникально малые времена переключения около 1 нс. В справочнике приводится кодовая маркировка (SMD-коды) для 33000 активных электронных компонентов (диодов, тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, интегральных микросхем). американская фирма International Rectifier (IR) разработала ставшую затем самой массовой технологию производства МОП-транзисторов с гексагональной (шестиугольной) формой ячейки — HEXFET (рис.

Описание: Мощные высокочастотные транзисторы / Ю. Электронный справочник основных параметров транзисторов. Мощный кремниевый высоковольтный МДП-транзистор КП701 // Электронная промышленность. В третьем томе приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полевых и вч-биполярных транзисторов средней и большой мощности. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, выполненный в цифро-алфавитной последовательности, по которому читатель с необычайной легкостью найдет нужный транзистор. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Большое внимание компания International Rectifier и другие разработчики MOSFET уделяют совершенствованию технологий размещения кристаллов транзисторов в новых корпусах, поскольку только оптимальное сочетание кристалла транзистора и корпуса обеспечивает создание по-настоящему эффективного устройства.
Металлокерамический корпус транзистора 2П7154АС, рассеивающего мощность до 875 Вт, и схема разводки выводов кристаллов. В них паразитный биполярный транзистор был включен параллельно структуре полевого транзистора (рис. В помощь радиолюбителю — Транзисторы, smd. Эффективность этих транзисторов больше, чем у транзисторов в других корпусах, за исключением DirectFET. Наносекундные сильноточные и высокочастотные ключи на мощных МДП-транзисторах // ПТЭ. Приведены справочные характеристики, габаритные чертежи и цоколевка транзисторов. Во втором томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные параметры зарубежных мощных биполярных транзисторов. com является раздел подбора транзистора по его параметрам и поиск по маркировке полупроводникового прибора. com, несомненно, полезен радиолюбителям и профессионалам в сфере электроники, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещённых в справочнике. Транзистор IRF6798MPBF в корпусе DirectFET среднего размера (Medium Can) с сопротивлением канала в открытом состоянии 0,95 мОм позволяет получить высокий КПД во всем диапазоне сопротивления нагрузки. Здесь описаны аналоги транзисторов, с приведением соответствующих описаний, схем и характеристик. Седьмое поколение HEXFET в течение нескольких лет было основой номенклатуры транзисторов IR для автомобильной электроники и по настоящее время является основой создания высоконадежных транзисторов в герметичных корпусах для наиболее ответственных (в том числе военных) применений. На этой страничке представлены справочники по транзисторам. Мощные полевые транзисторы и их применение / Пер. Описание: Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги.

Источники электропитания массовых настольных компьютеров, телевизоров, DVD-проигрывателей и прочих аппаратов бытовой электроники стали переходить на применение экономичных импульсных инверторов и преобразователей на мощных полевых транзисторах. Полевые транзисторы с их малыми интермодуляционными искажениями обещали устранение этого недостатка. Справочник предназначен для специалистов в области проектирования, наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров. Книга: СВЧ-транзисторы фирмы ERICSSON. Описание: Зарубежные транзисторы и их аналоги. Первым выпущенным продуктом на основе GaN стал силовой модуль (IP2010 и IP2011) для понижающих синхронных DC/DC-преобразователей, который включает в себя 30-В транзисторы на арсениде галлия и рассчитан на напряжение на входе 12 В и выходное напряжение 1 В или ниже. Спасибо большое за свободный доступ к книгам без различных проблем со скачиванием очень нужный и полезный в работе материал. Зарубежные транзисторы и их аналоги.

БЭК-19 — СВЧ-транзисторы фирмы ERICSSON. Журналисты часто преувеличивают перспективы развития транзисторов, ссылаясь на последние успехи нанотехнологий. Это позволяет получать транзисторы с малым сопротивлением сток–исток в открытом состоянии (рис. Новая серия отечественных DMOSFET-транзисторов // Силовая электроника. Справочник предполагается как издание из 3-5 томов, в которое будут включены биполярные и полевые транзисторы, предназначенные для поверхностного монтажа. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Согласно этому рисунку, снижение Rсивкл у кремниевых транзисторов намного меньше того же показателя у приборов на основе GaN. В справочнике помещены перечень фирм-изготовителей и список зарубежных аналогов выпускающихся и снятых с производства транзисторов.
Упрощенная структура мощного полевого транзистора на основе GaN. Параметры некоторых отечественных мощных полевых транзисторов с малым сопротивлением канала. Настоящее издание дополнено сведениями о полевых транзисторах, освоенных промышленностью за истекший период. Общедоступными стали многие типы зарубежных мощных полевых транзисторов. В разработке мощных полевых транзисторов с управляющим переходом преуспели японские фирмы Sony, Tokin и др. © 2008-2015 Параметры транзисторов. Мощные полевые транзисторы и их применение. Книга: Мощные полевые транзисторы и их применение.

Поиск параметров транзистора по его маркировке. МОП-транзистор с U-образной канавкой (UMOS). 6, позволяет получать высоковольтные транзисторы с довольно малым Rси. Мощный кремниевый сверхвысокочастотный МДП-транзистор КП908 // Электронная промышленность. Кремниевый мощный высокочастотный МДП-транзистор КП909 // Электронная промышленность. В полной мере это относится к крупному классу полупроводниковых приборов — мощным силовым (ключевым) полевым транзисторам. Автомобильная электроника также стала потребителем массы мощных полевых транзисторов, в том числе работающих в особо тяжелых условиях. Мощные МДП-транзисторы были предложены нами как перспективный тип силовых полупроводниковых приборов, хотя их разработки шли вразрез с линией тогдашнего ВПК на развитие приборов для радиопередатчиков.
Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Канг и Аталла предложили использовать для построения полевого транзистора структуру металл–окисел–полупроводник. Во втором томе четырехтомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — биполярных транзисторов средней и большой мощности НЧ. Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах // Обзоры по электронной технике. Минимальное сопротивление открытого канала у транзистора AUIRF1324S-7P составляет всего 1 мОм. Выпускаются и транзисторы средней мощности в миниатюрных корпусах размером со спичечную головку. Приведены таблицы параметров и усредненные статические характеристики основных типов полевых транзисторов, а также методика расчета различных элементов схем с числовыми примерами. Справочник предназначен в первую очередь для инженерно-технического персонала, занимающегося сервисным обслуживанием зарубежного электронного оборудования и, надеемся, будет также полезен радиолюбителям. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Целью сборника является ознакомление потребителей IGBT-транзисторов и модулей фирмы Siemens AG с основными свойствами, особенностями и некоторыми возможностями применения этих изделий в силовой электронике. Было создано несколько поколений таких транзисторов. О параметрах советских мощных высоковольтных полевых МДП-транзисторов дает представление таблица 3. Мощные полевые транзисторы с V-МОП-структурой — перспективные конкуренты мощных биполярных приборов // Электроника. Мощные высоковольтные ключевые МДП-транзисторы для бестрансформаторных источников питания // Электричество. некоторых фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована информация, взятая из нескольких справочников, изданных в Европе и самого популярного в США справочника «ECG Semiconductor Master Replacement Guide» 1998 г.

Новые транзисторы предназначены для таких приложений с повышенной надежностью работы, как промышленные импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, привод с батарейным питанием для профессионального электроинструмента, вилочных подъемников, электрокаров.
Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам. В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Мощные полевые транзисторы фирмы IR повышенной надежности. Структура SIMPOS-транзистора с прямоугольными ячейками. Оказался полезным былой задел в разработках мощных полевых транзисторов.
Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах.

скачать справочник analog транзисторов



Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме.

В первой собраны аналоги отечественных транзисторов, во второй – аналоги зарубежных транзисторов.
20 — Transistors — Электронный справочник по биполярным транзисторам с русскими буквенными индексами (2089 шт.

При составлении справочника использовалась техническая документация 1999-2000 г.

В справочнике приведены сведения об основных электрических парамет* pax, режимах измерения, предельно допустимых режимах работы полевых транзисторов отечественного производства.
Во второй части приводятся отечественные аналоги зарубежных транзисторов, которые так же выстроены в алфавитно-цифровой последовательности.
Справочник по аналогам отечественных и зарубежных транзисторов. Во втором томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные параметры зарубежных мощных биполярных транзисторов.
Главная / Справочники радиодеталей, скачать бесплатно.

Порой при монтаже той или иной схемы, разработке радиоэлектронного прибора или при ремонте устройства возникает необходимость заменить перегоревший или вообще отсутствующий номинал отечественного / зарубежного транзистора на его соответствующий аналог. ru/wp-content/uploads/2011/05/analogi_zarub_transistors.
В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещённых в справочнике.
Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Мощные высокочастотные транзисторы. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения.