справочник зарубжных полевых транзисторов



На ПАРАТРАНЕ удобно искать интересующие Вас данные о параметрах транзистора по его алфавитно-цифровой маркировке. Появились мощные МДП-транзисторы с малым сопротивлением канала включенного прибора (табл. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Мощные МДП-транзисторы фирмы IR с максимальным током стока. Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Содержание справочника транзисторов. Интересен прогноз IR по снижению сопротивления Rсивкл мощных полевых транзисторов на основе Si и GaN (рис. Между тем в СССР уже к концу 70-х годов наметилась тенденция к отставанию в области мощных ключевых полевых транзисторов. Сопротивление сток–исток полевых транзисторов, построенных на разных полупроводниковых материалах. Эта серия транзисторов имеет диапазон максимальных напряжений стока 24–100 В. С этого времени можно отсчитывать сегодняшний этап развития мощных полевых транзисторов. Иногда составителю встречались некоторые расхождения между характеристиками электронных полупроводниковых приборов, описанных в справочниках, изданных в Европе и в технической документации фирм-производителей. Есть раздел подбора транзистора по его параметрам и поиск по маркировке полупроводникового прибора. Стоит отметить также ряд пластмассовых корпусов, позволивших создать дешевые транзисторы и модули. Структура полевого транзистора LDMOS на основе SiC. Для силовых устройств важно иметь малое остаточное напряжение не только при очень малых, но и при больших токах стока включенного транзистора.
И тут оказывается, что по ключевым свойствам первые маломощные (и даже первые мощные) полевые транзисторы заметно уступали биполярным транзисторам. Стоит отметить, что указанные исследования проводились задолго до появления серийных мощных силовых полевых транзисторов и были экспериментально подтверждены многими уникальными разработками в области схемотехники этих приборов. В настоящем справочнике приведены перечни различных классов отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов с указанием фирм-изготовителей, а так же зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. МДП-транзистор с «вертикальной» V-образной структурой. Эти показатели являются рекордными по сей день и перекрыты лишь мощными арсенид-галлиевыми полевыми транзисторами. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. В указателе типов транзисторов, который выполнен в цифро-алфавитной последовательности, указывается местонахождение только тех приборов, которые вошли в данный том. Приведены справочные данные на 200 биполярных н 21 полевых типов транзисторов.
Номенклатура приборов IR и ряда других компаний насчитывает сотни наименований (типов) транзисторов у каждой фирмы. Структура мощного МДП-транзистора, изготовленного методом двойной диффузии. Значительные успехи в последние годы получены на пути внедрения высокотемпературных полевых транзисторов на карбиде кремния (SiC). Справочное пособие рассчитано на широкий круг читателей, специалистов, студентов и ра­диолюбителей, занимающихся конструированием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры. Словом, нужны приборы с очень малым сопротивлением Rси между стоком и истоком включенного сильноточного транзистора. Менее мощные транзисторы КП902 легко обеспечивали уникально малые времена переключения около 1 нс. В справочнике приводится кодовая маркировка (SMD-коды) для 33000 активных электронных компонентов (диодов, тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, интегральных микросхем). американская фирма International Rectifier (IR) разработала ставшую затем самой массовой технологию производства МОП-транзисторов с гексагональной (шестиугольной) формой ячейки — HEXFET (рис.

Описание: Мощные высокочастотные транзисторы / Ю. Электронный справочник основных параметров транзисторов. Мощный кремниевый высоковольтный МДП-транзистор КП701 // Электронная промышленность. В третьем томе приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полевых и вч-биполярных транзисторов средней и большой мощности. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, выполненный в цифро-алфавитной последовательности, по которому читатель с необычайной легкостью найдет нужный транзистор. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Большое внимание компания International Rectifier и другие разработчики MOSFET уделяют совершенствованию технологий размещения кристаллов транзисторов в новых корпусах, поскольку только оптимальное сочетание кристалла транзистора и корпуса обеспечивает создание по-настоящему эффективного устройства.
Металлокерамический корпус транзистора 2П7154АС, рассеивающего мощность до 875 Вт, и схема разводки выводов кристаллов. В них паразитный биполярный транзистор был включен параллельно структуре полевого транзистора (рис. В помощь радиолюбителю — Транзисторы, smd. Эффективность этих транзисторов больше, чем у транзисторов в других корпусах, за исключением DirectFET. Наносекундные сильноточные и высокочастотные ключи на мощных МДП-транзисторах // ПТЭ. Приведены справочные характеристики, габаритные чертежи и цоколевка транзисторов. Во втором томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные параметры зарубежных мощных биполярных транзисторов. com является раздел подбора транзистора по его параметрам и поиск по маркировке полупроводникового прибора. com, несомненно, полезен радиолюбителям и профессионалам в сфере электроники, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещённых в справочнике. Транзистор IRF6798MPBF в корпусе DirectFET среднего размера (Medium Can) с сопротивлением канала в открытом состоянии 0,95 мОм позволяет получить высокий КПД во всем диапазоне сопротивления нагрузки. Здесь описаны аналоги транзисторов, с приведением соответствующих описаний, схем и характеристик. Седьмое поколение HEXFET в течение нескольких лет было основой номенклатуры транзисторов IR для автомобильной электроники и по настоящее время является основой создания высоконадежных транзисторов в герметичных корпусах для наиболее ответственных (в том числе военных) применений. На этой страничке представлены справочники по транзисторам. Мощные полевые транзисторы и их применение / Пер. Описание: Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги.

Источники электропитания массовых настольных компьютеров, телевизоров, DVD-проигрывателей и прочих аппаратов бытовой электроники стали переходить на применение экономичных импульсных инверторов и преобразователей на мощных полевых транзисторах. Полевые транзисторы с их малыми интермодуляционными искажениями обещали устранение этого недостатка. Справочник предназначен для специалистов в области проектирования, наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров. Книга: СВЧ-транзисторы фирмы ERICSSON. Описание: Зарубежные транзисторы и их аналоги. Первым выпущенным продуктом на основе GaN стал силовой модуль (IP2010 и IP2011) для понижающих синхронных DC/DC-преобразователей, который включает в себя 30-В транзисторы на арсениде галлия и рассчитан на напряжение на входе 12 В и выходное напряжение 1 В или ниже. Спасибо большое за свободный доступ к книгам без различных проблем со скачиванием очень нужный и полезный в работе материал. Зарубежные транзисторы и их аналоги.

БЭК-19 — СВЧ-транзисторы фирмы ERICSSON. Журналисты часто преувеличивают перспективы развития транзисторов, ссылаясь на последние успехи нанотехнологий. Это позволяет получать транзисторы с малым сопротивлением сток–исток в открытом состоянии (рис. Новая серия отечественных DMOSFET-транзисторов // Силовая электроника. Справочник предполагается как издание из 3-5 томов, в которое будут включены биполярные и полевые транзисторы, предназначенные для поверхностного монтажа. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Согласно этому рисунку, снижение Rсивкл у кремниевых транзисторов намного меньше того же показателя у приборов на основе GaN. В справочнике помещены перечень фирм-изготовителей и список зарубежных аналогов выпускающихся и снятых с производства транзисторов.
Упрощенная структура мощного полевого транзистора на основе GaN. Параметры некоторых отечественных мощных полевых транзисторов с малым сопротивлением канала. Настоящее издание дополнено сведениями о полевых транзисторах, освоенных промышленностью за истекший период. Общедоступными стали многие типы зарубежных мощных полевых транзисторов. В разработке мощных полевых транзисторов с управляющим переходом преуспели японские фирмы Sony, Tokin и др. © 2008-2015 Параметры транзисторов. Мощные полевые транзисторы и их применение. Книга: Мощные полевые транзисторы и их применение.

Поиск параметров транзистора по его маркировке. МОП-транзистор с U-образной канавкой (UMOS). 6, позволяет получать высоковольтные транзисторы с довольно малым Rси. Мощный кремниевый сверхвысокочастотный МДП-транзистор КП908 // Электронная промышленность. Кремниевый мощный высокочастотный МДП-транзистор КП909 // Электронная промышленность. В полной мере это относится к крупному классу полупроводниковых приборов — мощным силовым (ключевым) полевым транзисторам. Автомобильная электроника также стала потребителем массы мощных полевых транзисторов, в том числе работающих в особо тяжелых условиях. Мощные МДП-транзисторы были предложены нами как перспективный тип силовых полупроводниковых приборов, хотя их разработки шли вразрез с линией тогдашнего ВПК на развитие приборов для радиопередатчиков.
Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Канг и Аталла предложили использовать для построения полевого транзистора структуру металл–окисел–полупроводник. Во втором томе четырехтомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — биполярных транзисторов средней и большой мощности НЧ. Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах // Обзоры по электронной технике. Минимальное сопротивление открытого канала у транзистора AUIRF1324S-7P составляет всего 1 мОм. Выпускаются и транзисторы средней мощности в миниатюрных корпусах размером со спичечную головку. Приведены таблицы параметров и усредненные статические характеристики основных типов полевых транзисторов, а также методика расчета различных элементов схем с числовыми примерами. Справочник предназначен в первую очередь для инженерно-технического персонала, занимающегося сервисным обслуживанием зарубежного электронного оборудования и, надеемся, будет также полезен радиолюбителям. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Целью сборника является ознакомление потребителей IGBT-транзисторов и модулей фирмы Siemens AG с основными свойствами, особенностями и некоторыми возможностями применения этих изделий в силовой электронике. Было создано несколько поколений таких транзисторов. О параметрах советских мощных высоковольтных полевых МДП-транзисторов дает представление таблица 3. Мощные полевые транзисторы с V-МОП-структурой — перспективные конкуренты мощных биполярных приборов // Электроника. Мощные высоковольтные ключевые МДП-транзисторы для бестрансформаторных источников питания // Электричество. некоторых фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована информация, взятая из нескольких справочников, изданных в Европе и самого популярного в США справочника «ECG Semiconductor Master Replacement Guide» 1998 г.

Новые транзисторы предназначены для таких приложений с повышенной надежностью работы, как промышленные импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, привод с батарейным питанием для профессионального электроинструмента, вилочных подъемников, электрокаров.
Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам. В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Мощные полевые транзисторы фирмы IR повышенной надежности. Структура SIMPOS-транзистора с прямоугольными ячейками. Оказался полезным былой задел в разработках мощных полевых транзисторов.
Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах.